Биполярный транзистор TIP122F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP122F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-220FP
TIP122F Datasheet (PDF)
tip122f 127f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP122F NPN TIP127F PNP TO-220FPBCEDesigned for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 100 VCollector -Emitter Voltage V
tip122fp tip127fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TIP122FPTIP127FPCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTINGDESCRIPTION The TIP122FP is a silicon Epitaxial-Base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mounted in Jedec TO-220FP fully32molded isolated package. It is intented for use in1pow
tip122fp tip127fp .pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TIP122FPTIP127FPCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE 2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT)DESCRIPTIONThe TIP122FP is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration Jedec TO-220FP fully moldedisolated package, intented for use in power linear32and switching a
tip122fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP122FPDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 3ACE(sat) C= 4.0V(Max)@ I = 5ACComplement to Type TIP127FPMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and rel
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .