Справочник транзисторов. TIP122F

 

Биполярный транзистор TIP122F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TIP122F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-220FP

 Аналоги (замена) для TIP122F

 

 

TIP122F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  cdil
tip122f 127f.pdf

TIP122F
TIP122F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP122F NPN TIP127F PNP TO-220FPBCEDesigned for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 100 VCollector -Emitter Voltage V

 0.1. Size:270K  st
tip122fp tip127fp.pdf

TIP122F
TIP122F

TIP122FPTIP127FPCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTINGDESCRIPTION The TIP122FP is a silicon Epitaxial-Base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mounted in Jedec TO-220FP fully32molded isolated package. It is intented for use in1pow

 0.2. Size:29K  st
tip122fp tip127fp .pdf

TIP122F
TIP122F

TIP122FPTIP127FPCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE 2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT)DESCRIPTIONThe TIP122FP is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration Jedec TO-220FP fully moldedisolated package, intented for use in power linear32and switching a

 0.3. Size:217K  inchange semiconductor
tip122fp.pdf

TIP122F
TIP122F

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP122FPDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 3ACE(sat) C= 4.0V(Max)@ I = 5ACComplement to Type TIP127FPMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and rel

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top