2SC4736 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC4736 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800
Корпус транзистора: FLP
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC4736
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC4736 даташит
2sc4736.pdf
Ordering number EN3975 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4736 High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features Package Dimensions Large current (IC=2A). unit mm Adoption of MBIT process. 2084B High DC current gain (hFE=800 to 3200). [2SC4736] Low collector-to-emitter saturation voltage 4.5 1.9 2.6 (VCE(sat) 0.5V). 10.5 1.2 1.4
2sc4738ft.pdf
2SC4738FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4738FT Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High Voltage VCEO = 50 V High Current I = 150 mA (max) C High h h = 120 to 400 FE FE Excellent h Linearity FE h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE C FE C Complementary to 2SA1832FT Maximum Rat
2sc4738.pdf
2SC4738 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4738 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 700 Complementary to 2SA1832 Small package Absolute Maximu
2sc4738f.pdf
2SC4738F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4738F Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) Excellent h linearity h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 120 400 FE FE Complementary to 2SA1832F Small package Maximu
Другие транзисторы: 2SC4694, 2SC4695, 2SC4696, 2SC4703, 2SC4705, 2SC4709, 2SC4715, 2SC4727, TIP42, 2SC4737, 2SC4755, 2SC4782, 2SC4783, 2SC4784, 2SC4787, 2SC4791, 2SC4805
History: MJE340G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor











