Биполярный транзистор 2SC4821 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4821
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: FLP
2SC4821 Datasheet (PDF)
2sc4821.pdf
Ordering number:EN4131NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4821High-Definition CRT DisplayVideo Output Driver ApplicationsApplications Package Dimensions High definition CRT display video output driver,unit:mmwide band amplifier applications and high frequency2084Bdriver applications[2SC4821]4.51.9 2.610.51.2 1.4Features High gain bandwidth product (
2sa1852 2sc4826.pdf
Ordering number : ENN5495A2SA1852 / 2SC4826PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1852 / 2SC4826High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplicationsPackage Dimensions High definition CRT display video output,unit : mmwide-band amplifer.2084B[2SA1852 / 2SC4826]Features 4.51.9 2.610.51.2 1.4 Adoption of FBET process. High fT : fT=
2sc4827.pdf
Ordering number:EN4717PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1853/2SC4827High Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output. Wide-unit:mmband amplifier.2084B[2SA1853/2SC4827]Features Adoption of FBET process. High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V. Small
2sc4824.pdf
Ordering number:EN4132PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1850/2SC4824High Definition CRTDisplay Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High Definition CRT Display Video Output Applica-unit:mmtions, Wide-Band Amplifier.2084[2SA1850/2SC4824]Features Adoption of FBET process. High Gain Bandwidth product (fT=400MHz). High breakdow
2sc4829.pdf
2SC4829Silicon NPN EpitaxialApplicationHigh frequency amplifierFeatures High frequency characteristicsfT = 1100 MHz Typ High voltage and small output capacitanceVCEO = 100 V, Cob = 4.2 pF Typ Suitable for wide band video amplifierOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SC4829Ordering InformationhFE2SC4829B 60 to 1202SC4829C 100 to 20
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050