2SC4821. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC4821

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: FLP

 Аналоги (замена) для 2SC4821

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4821 даташит

 ..1. Size:95K  sanyo
 2sc4821.pdf pdf_icon

2SC4821

Ordering number EN4131 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4821 High-Definition CRT Display Video Output Driver Applications Applications Package Dimensions High definition CRT display video output driver, unit mm wide band amplifier applications and high frequency 2084B driver applications [2SC4821] 4.5 1.9 2.6 10.5 1.2 1.4 Features High gain bandwidth product (

 8.1. Size:743K  1
 2sc482 2sc483 2sc484 2sc485 2sc486 2sc487 2sc488 2sc489.pdf pdf_icon

2SC4821

 8.2. Size:26K  sanyo
 2sa1852 2sc4826.pdf pdf_icon

2SC4821

Ordering number ENN5495A 2SA1852 / 2SC4826 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1852 / 2SC4826 High Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High definition CRT display video output, unit mm wide-band amplifer. 2084B [2SA1852 / 2SC4826] Features 4.5 1.9 2.6 10.5 1.2 1.4 Adoption of FBET process. High fT fT=

 8.3. Size:109K  sanyo
 2sc4827.pdf pdf_icon

2SC4821

Ordering number EN4717 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1853/2SC4827 High Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High-definition CRT display video output. Wide- unit mm band amplifier. 2084B [2SA1853/2SC4827] Features Adoption of FBET process. High fT fT=300MHz. High breakdown voltage VCEO=200V. Small

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4807, 2SC4808, 2SC4809, 2SC4810, 2SC4811, 2SC4813, 2SC4814, 2SC4815, BC549, 2SC4829, 2SC4835, 2SC4836, 2SC4838, 2SC4839, 2SC4840, 2SC4841, 2SC4842