2N6246. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6246
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2N6246
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N6246 даташит
2n6246.pdf
2N6246 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar PNP Device. 3 VCEO = 70V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
2n6246 2n6247 2n6248.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N6246 2N6247 2N6248 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area High gain at high current APPLICATIONS General-purpose types of switching and linear-amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified ou
2n6246 2n6247 2n6248.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6246 2N6247 2N6248 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area High gain at high current APPLICATIONS General-purpose types of switching and linear-amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outlin
2n6237 2n6238 2n6239 2n6240 2n6241.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N6237/D 2N6237 thru Silicon Controlled Rectifiers 2N6241 Reverse Blocking Triode Thyristors . . . PNPN devices designed for high volume consumer applications such as SCRs temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning 4 AMPERES RMS systems where reliability of operation is important. 50 t
Другие транзисторы: 2N6231, 2N6232, 2N6232-4, 2N6233, 2N6234, 2N6235, 2N6235R, 2N624, BC548, 2N6247, 2N6248, 2N6249, 2N625, 2N6250, 2N6251, 2N6253, 2N6254
History: 2SC536K | WTM669A | 2SA1263NO | MA898 | ZXTN19060CFF | NSD134
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet











