2SC5262 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC5262 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5262 📄📄

Маркировка: IR_IO

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 7 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: 2-3J1A

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC5262

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

..1. Size:126K toshiba
2sc5262.pdf pdf_icon

8.1. Size:181K toshiba
2sc5266a.pdf pdf_icon

8.2. Size:182K toshiba
2sc5261.pdf pdf_icon

8.3. Size:164K toshiba
2sc5266.pdf pdf_icon