2SC5277 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC5277 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5277 📄📄

Маркировка: D1_D2_D3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SMCP

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC5277

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC5277 даташит

..1. Size:134K sanyo
2sc5277.pdf pdf_icon

Ordering number EN5187 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5277 UHF to S Band Low-Noise Amplifier, OSC Applications Features Package Dimensions Low noise NF=0.9dB typ (f=1GHz). unit mm NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). 2106A 2 High gain S21e =10dB typ (f=1.5GHz). [2SC5277] High cutoff frequency fT=11GHz typ. 0.75 0.3 0.6 Low-voltage, low-current ope

0.1. Size:58K sanyo
2sc5277a.pdf pdf_icon

Ordering number ENA1075 2SC5277A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S-Band Low-Noise Amplifier 2SC5277A OSC Applications Features Low-noise NF=0.9dB typ (f=1GHz). NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). High gain S21e 2=10dB typ (f=1.5GHz). High cut-off frequency fT=8GHz typ. Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1

0.2. Size:403K onsemi
2sc5277a-2.pdf pdf_icon