2SC5301 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC5301 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5301 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO-3JML

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC5301

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC5301 даташит

..1. Size:96K sanyo
2sc5301.pdf pdf_icon

Ordering number EN5417A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5301 Ultrahigh-Definition Color Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2111A High reliability (Adoption of HVP process). [2SC5301] Adoption of MBIT process. 20.0 5.0 1.75 1.0 2.9 1

8.1. Size:98K 1
2sc50x 2sc51x 2sc52x 2sc511 2sc513 2sc530.pdf pdf_icon

8.2. Size:173K toshiba
2sc5307.pdf pdf_icon

8.3. Size:40K sanyo
2sc5303.pdf pdf_icon

Ordering number ENN6177 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5303 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2111A High reliability (Adoption of HVP process). [2SC5303] Adoption of MBIT process. 20.0 5.0 1.75 1.0 2.9 1.2