2SC5315 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5315  📄📄 

Маркировка: MT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5315

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5315 даташит

 ..1. Size:125K  toshiba
2sc5315.pdfpdf_icon

2SC5315

 ..2. Size:353K  kexin
2sc5315.pdfpdf_icon

2SC5315

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC5315 SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=20mA Collector Emitter Voltage VCEO=5V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 8 Collecto

 8.1. Size:121K  toshiba
2sc5317.pdfpdf_icon

2SC5315

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm (chip fT = 16 GHz series) Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emi

 8.2. Size:126K  toshiba
2sc5318.pdfpdf_icon

2SC5315

Другие транзисторы: 2SC5295, 2SC5298, 2SC5300, 2SC5301, 2SC5302, 2SC5303, 2SC5304LS, 2SC5305LS, NJW0281G, 2SC5316, 2SC5317, 2SC5318, 2SC5320, 2SC5321, 2SC5322, 2SC5323, 2SC5324