2SC5323 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5323  📄📄 

Маркировка: MU

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: 2-3J1C

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5323

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5323 даташит

 ..1. Size:122K  toshiba
 2sc5323.pdf pdf_icon

2SC5323

 8.1. Size:122K  toshiba
 2sc5321.pdf pdf_icon

2SC5323

 8.2. Size:124K  toshiba
 2sc5322ft.pdf pdf_icon

2SC5323

2SC5322FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5322FT VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain S 2 = 10dB (f = 2 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltag

 8.3. Size:123K  toshiba
 2sc5324.pdf pdf_icon

2SC5323

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5305LS, 2SC5315, 2SC5316, 2SC5317, 2SC5318, 2SC5320, 2SC5321, 2SC5322, BC556, 2SC5324, 2SC5331, 2SC5332, 2SC5335, 2SC5336, 2SC5337, 2SC5338, 2SC5342