2SC5369 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC5369 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5369 📄📄

Маркировка: T95

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: MINI-MOLD-6PIN

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC5369

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC5369 даташит

..1. Size:60K nec
2sc5369.pdf pdf_icon

PRELIMINARY DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5369 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES PACKAGE DIMENSION (in mm) High fT 2.1 0.1 14 GHz TYP. 1.25 0.1 High gain S21e 2 = 14 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA NF = 1.3 dB, @f = 2 GHz, VCE= 3 V, IC = 3 mA 6-pin small mini mold package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)

8.1. Size:116K toshiba
2sc5360.pdf pdf_icon