2SC5423 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5423  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TOP-3E

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5423

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5423 даташит

 ..1. Size:30K  panasonic
 2sc5423.pdf pdf_icon

2SC5423

Power Transistors 2SC5423 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit mm 15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1 Features 5 5 High breakdown voltage, and high reliability through the use of a glass passivation layer High-speed switching 5 Wide area of safe operation (ASO) 5 4.0 5 2.0 0.2 1.1 0.1 Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 0.

 8.1. Size:322K  toshiba
 2sc5421.pdf pdf_icon

2SC5423

2SC5421 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5421 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage V = 3 V (Max.) CE (sat) MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collecto

 8.2. Size:316K  toshiba
 2sc5422.pdf pdf_icon

2SC5423

2SC5422 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5422 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage VCBO = 1700 V Low Saturation Voltage V = 3 V (Max.) CE (sat) High Speed t = 0.15 s (Typ.) f MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Coll

 8.3. Size:69K  sanyo
 2sc5420.pdf pdf_icon

2SC5423

Ordering number EN5762 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5420 Inverter Lighting Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO=1000V). unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2069B Adoption of MBIT process. [2SC5420] 10.2 4.5 1.3 1 2 3 0 to 0.3 0.8 1.2 0.4 2.55 2.55 1 Base 2 Collector 3 Emitter SANYO SM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5411, 2SC5412, 2SC5414, 2SC5415, 2SC5418, 2SC5420, 2SC5421, 2SC5422, D882, 2SC5431, 2SC5432, 2SC5433, 2SC5434, 2SC5435, 2SC5436, 2SC5437, 2SC5440