Справочник транзисторов. 2SC5447

 

Биполярный транзистор 2SC5447 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5447
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
   Корпус транзистора: TO-3PFM
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5447 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hitachi
2sc5447.pdfpdf_icon

2SC5447

2SC5447Silicon NPN Triple DiffusedCharacter Display Horizntal Deflection OutputADE-208-576 B (Z)3rd. EditionSeptember 1997Features High breakdown voltageVCES = 1500 V High speed switchingtf = 0.15 sec (typ.) at fH = 64 kHz Isolated packageTO3PFMOutlineTO3PFMC21B1. Base32. CollectorE13. Emitter232SC5447Absolute Maximum Rat

 8.1. Size:343K  toshiba
2sc5445.pdfpdf_icon

2SC5447

2SC5445 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5445 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.) CE (sat) High Speed : t (2) = 0.1 s (Typ.) f MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT

 8.2. Size:340K  toshiba
2sc5446.pdfpdf_icon

2SC5447

2SC5446 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5446 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1700 V Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.) CE (sat) High Speed : t (2) = 0.1 s (Typ.) f MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT

 8.3. Size:42K  sanyo
2sc5443.pdfpdf_icon

2SC5447

Ordering number:EN6101NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5443Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed (tf=100ns typ).unit:mm High breakdown voltage (VCBO=1500V).2048B High reliability (Adoption of HVP process).[2SC5443] Adoption of MBIT process.20.03.35.02.03.40.6

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: A966Y | MJD5731T4G | 2SC3837 | PN2222-H | 2SC3357D

 

 
Back to Top

 


 
.