Биполярный транзистор 2SC5645 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC5645
Маркировка: NF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SMCP
Аналог (замена) для 2SC5645
2SC5645 Datasheet (PDF)
2sc5645.pdf

Ordering number : ENN65882SC5645NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5645UHF to S Band Low-Noise Amplifierand OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit : mm High cutoff frequency : fT=10GHz typ (VCE=1V). 2106A : fT=12.5GHz typ (VCE=3V).[2SC5645] Low-voltage operating . High gain :S21e2=9.5dB typ (f=2GHz). 0
2sc5647.pdf

Ordering number : ENN73262SC5647NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5647UHF to S Band Low-Noise Amplifierand OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=2.6dB typ (f=2GHz). unit : mm High cutoff frequency : fT=9.0GHz typ (VCE=1V). 2106A: fT=11.5GHz typ (VCE=3V).[2SC5647] Low operating voltage.0.75 High gain : S21e2=10.5dB typ (f=2
2sc5646a.pdf

Ordering number : ENA1120 2SC5646ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to S-Band Low-Noise Amplifier,2SC5646AOSC ApplicationsFeatures Low-noise : NF=1.5dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=1V).: fT=12.5GHz typ (VCE=3V). Low-voltage operation. High gain : S21e2=9.5dB typ (f=2GHz). Ultrasmall
2sc5646.pdf

Ordering number : ENN66062SC5646NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5646UHF to S Band Low-Noise Amplifierand OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low-noise use : NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit : mm High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=1V). 2159: fT=12.5GHz typ (VCE=3V).[2SC5646] Low operating voltage. High gain :S21e2=9.5dB typ (f=2GHz).
Другие транзисторы... 2SC5622 , 2SC5623 , 2SC5624 , 2SC5626 , 2SC5628 , 2SC5629 , 2SC5631 , 2SC5632 , BC548 , 2SC5646 , 2SC5647 , 2SC5654 , 2SC5665 , 2SC5680 , 2SC5681 , 2SC5682 , 2SC5683 .
History: NSVBC846BM3T5G | BFT75R | FMA4A
History: NSVBC846BM3T5G | BFT75R | FMA4A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet