2SC5698 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5698  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO-3PMLH

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5698

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5698 даташит

 ..1. Size:29K  sanyo
2sc5698.pdfpdf_icon

2SC5698

Ordering number ENN6664A 2SC5698 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5698 CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5698] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 On-chip damper diode. 3.1 2.8 2.0

 8.1. Size:167K  toshiba
2sc5692.pdfpdf_icon

2SC5698

2SC5692 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5692 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.3 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.14 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 120 ns (typ.) f Maximum Ratings (

 8.2. Size:411K  toshiba
2sc5695.pdfpdf_icon

2SC5698

2SC5695 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5695 Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Unit mm Color TV High voltage VCBO = 1500 V Low saturation voltage V = 3 V (max) CE (sat) High speed t (2) = 0.1 s (typ.) f Maximum Ratings (Tc = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO

 8.3. Size:28K  sanyo
2sc5690.pdfpdf_icon

2SC5698

Ordering number ENN6896A 2SC5690 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5690 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SC5690] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 On-chip dam

Другие транзисторы: 2SC5681, 2SC5682, 2SC5683, 2SC5684, 2SC5686, 2SC5689, 2SC5690, 2SC5695, MJE340, 2SC5699, 2SC5700, 2SC5702, 2SC5716, 2SC5717, 2SC5725, 2SC5730, 2SC5739