2SC5716 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5716  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3.8

Корпус транзистора: 2-16E3A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5716

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5716 даташит

 ..1. Size:304K  toshiba
 2sc5716.pdf pdf_icon

2SC5716

2SC5716 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5716 Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Unit mm Color TV High voltage V = 1700 V CBO High speed t (2) = 0.2 s (typ.) f Collector metal (fin) is fully covered with mold resin. Maximum Ratings (Tc = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base vo

 8.1. Size:166K  toshiba
 2sc5714.pdf pdf_icon

2SC5716

2SC5714 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5714 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 90 ns (typ.) f Maximum Ratings (T

 8.2. Size:159K  toshiba
 2sc5713.pdf pdf_icon

2SC5716

2SC5713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5713 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 50 ns (typ.) f Maximum Ratings (T

 8.3. Size:146K  toshiba
 2sc5712.pdf pdf_icon

2SC5716

2SC5712 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5712 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.14 V (max) High-speed switching tf = 120 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5686, 2SC5689, 2SC5690, 2SC5695, 2SC5698, 2SC5699, 2SC5700, 2SC5702, B772, 2SC5717, 2SC5725, 2SC5730, 2SC5739, 2SC5748, 2SC5757, 2SC5758, 2SC5759