2SC5730 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5730  📄📄 

Маркировка: UM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 270 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TSMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5730

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5730 даташит

 ..1. Size:50K  rohm
2sc5730.pdfpdf_icon

2SC5730

2SC5730 Transistor Medium power transistor (30V, 1.0A) 2SC5730 External dimensions (Units mm) Features 1) High speed switching. (Tf Typ. 35ns at IC = 1.0A) 2.8 TSMT3 1.6 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC = 500mA, IB = 50mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. (1) Base (2) Emitter 4) Complements the 2SA2048

 0.1. Size:62K  rohm
2sc5730k.pdfpdf_icon

2SC5730

2SC5730K Transistors Medium power transistor (30V, 1A) 2SC5730K External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. SMT3 (Tf Typ. 50ns at IC = 1.0A) (SC-59) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC = 500mA, IB = 50mA) 1.6 3) Strong discharge power for inductive load and 2.8 capacitance load. (1) Emitter 4) Complements th

 8.1. Size:160K  toshiba
2sc5738.pdfpdf_icon

2SC5730

2SC5738 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5738 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 90 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = =

 8.2. Size:97K  nec
2sc5737.pdfpdf_icon

2SC5730

DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5737 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES Low voltage operation, low phase distortion Ideal for VCO applications Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package ORDERING INFORMATION Part Number Quantity Supplying Form 2SC5737 50 pcs (Non reel) 8 mm

Другие транзисторы: 2SC5695, 2SC5698, 2SC5699, 2SC5700, 2SC5702, 2SC5716, 2SC5717, 2SC5725, TIP35C, 2SC5739, 2SC5748, 2SC5757, 2SC5758, 2SC5759, 2SC5764, 2SC5772, 2SC5773