2SC5841 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC5841 📄📄
Маркировка: C5841
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: MT-4-A1
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC5841
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5841 даташит
2sc5841.pdf
Power Transistors 2SC5841 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm Power supply for Audio & Visual equipments 10.0 0.2 5.0 0.1 1.0 0.2 such as TVs and VCRs Industrial equipments such as DC-DC converters Features 1.2 0.1 C 1.0 High-speed switching (tstg storage time/tf fall time is short) 1.48 0.2 2.25 0.2 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 0.
2sc5843.pdf
DATA SHEET NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 2SC5843 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PACKAGE) FEATURES Ideal for low noise, high-gain amplification NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz Maximum stable power gain MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz SiGe technology (fT
2sc5845.pdf
Transistors 2SC5845 Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification Unit mm 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 Features 3 High forward current transfer ratio hFE Mini type package, allowing downsizing of the equipment and au- tomatic insertion through the tape packing and the magazine pack- 1 2 ing (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolu
2sc5840.pdf
Power Transistors 2SC5840 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm 4.6 0.2 Power supply for Audio & Visual equipments 9.9 0.3 2.9 0.2 such as TVs and VCRs Industrial equipments such as DC-DC converters 3.2 0.1 Features High-speed switching (tstg storage time/tf fall time is short) 1.4 0.2 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 2.6 0.1 1.6 0.2
Другие транзисторы: 2SC5826, 2SC5827, 2SC5828, 2SC5829, 2SC5831, 2SC5838, 2SC5839, 2SC5840, 2SC2240, 2SC5845, 2SC5846, 2SC5849, 2SC5850, 2SC5855, 2SC5859, 2SC5863, 2SC5865
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c






