Биполярный транзистор 2SC5865 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5865
Маркировка: VU
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TSMT3
2SC5865 Datasheet (PDF)
2sc5865.pdf
High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A) 2SC5865 Features Dimensions (Unit : mm) 1) High speed switching. ( Tf : Typ. : 50ns at IC = 1.0A) TSMT3 1.0MAX2) Low saturation voltage, typically. 2.90.85:(Typ. 200mV at IC = 500mA, IB = 50mA) 0.4 0.73) Strong discharge power for inductive load and ( )3capacitance load. 4) Low Noise. 5) Co
2sc5868.pdf
Medium power transistor (60V, 0.5A) 2SC5868 Features Dimensions (Unit : mm) 1) High speed switching. TSMT32.8(Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA) 1.62) Low saturation voltage, typically :(Typ. 75mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. 4) Complements the 2SA2090 (1) Base(2) Emitter0.3 0.6Each lead has sam
2sc5866.pdf
2SC5866DatasheetMedium power transistor (60V, 2A)lOutlinelParameter Value TSMT3VCEO60VIC2ASOT-346TSC-96 lFeaturesl1)High speed switching. lInner circuitl (tf:Typ.:35ns at IC=2A)2)Low saturation voltage, typically (Typ.:200mV at IC=1.0A, IB=100mA)3)Storong discharge power for indu
2sc5863.pdf
Transistors2SC5863Silicon NPN epitaxial planar typeUnit: mmFor general amplification0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO1 2 High transition frequency fT(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratings Ta = 25C10Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage (Emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
