2SC5865 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5865  📄📄 

Маркировка: VU

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TSMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5865

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5865 даташит

 ..1. Size:931K  rohm
 2sc5865.pdf pdf_icon

2SC5865

High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A) 2SC5865 Features Dimensions (Unit mm) 1) High speed switching. ( Tf Typ. 50ns at IC = 1.0A) TSMT3 1.0MAX 2) Low saturation voltage, typically. 2.9 0.85 (Typ. 200mV at IC = 500mA, IB = 50mA) 0.4 0.7 3) Strong discharge power for inductive load and ( ) 3 capacitance load. 4) Low Noise. 5) Co

 8.1. Size:929K  rohm
 2sc5868.pdf pdf_icon

2SC5865

Medium power transistor (60V, 0.5A) 2SC5868 Features Dimensions (Unit mm) 1) High speed switching. TSMT3 2.8 (Tf Typ. 80ns at IC = 500mA) 1.6 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 75mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. 4) Complements the 2SA2090 (1) Base (2) Emitter 0.3 0.6 Each lead has sam

 8.2. Size:1470K  rohm
 2sc5866.pdf pdf_icon

2SC5865

2SC5866 Datasheet Medium power transistor (60V, 2A) lOutline l Parameter Value TSMT3 VCEO 60V IC 2A SOT-346T SC-96 lFeatures l 1)High speed switching. lInner circuit l (tf Typ. 35ns at IC=2A) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 200mV at IC=1.0A, IB=100mA) 3)Storong discharge power for indu

 8.3. Size:83K  panasonic
 2sc5863.pdf pdf_icon

2SC5865

Transistors 2SC5863 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For general amplification 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 1 2 High transition frequency fT (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C 10 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage (Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5841, 2SC5845, 2SC5846, 2SC5849, 2SC5850, 2SC5855, 2SC5859, 2SC5863, 2N2907, 2SC5868, 2SC5874S, 2SC5875, 2SC5877S, 2SC5880, 2SC5882, 2SC5884, 2SC5885