2SC5874S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC5874S 📄📄
Маркировка: C5874S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SPT
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC5874S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5874S даташит
2sc5874s.pdf
2SC5874S Transistors Medium power transistor (30V, 1.0A) 2SC5874S External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. 4.0 2.0 SPT (Tf Typ. 35ns at IC = 1.0A) 2) Low saturation voltage, typically 0.45 (Typ. 150mV at IC = 1.0A, IB = 100mA) 3) Strong discharge power for inductive load and 2.5 0.5 0.45 capacitance load. 5.0 (1) Emitter 4) Complem
2sc5876u3.pdf
2SC5876U3 Datasheet Medium power transistor (60V, 0.5A) lOutline l SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO 60V IC 500mA UMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)High speed switching. (Tf Typ. 80ns at IC=500mA) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC=100mA, IB=10mA) 3)Strong discharge power for inductive load and ca
2sc5876.pdf
2SC5876 Datasheet Medium power transistor (60V, 0.5A) lOutline l Parameter Value UMT3 VCEO 60V IC 500mA SOT-323 SC-70 lFeatures l 1)High speed switching. lInner circuit l (Tf Typ. 80ns at IC=500mA) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC=100mA, IB=10mA) 3)Strong discharge power for
2sc5875.pdf
2SC5875 Transistors Power transistor (30V, 2A) 2SC5875 External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. ATV 2.5 6.8 (Tf Typ. 20ns at IC = 2A) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 200mV at IC = 1.0A, IB = 0.1A) 0.65Max. 3) Strong discharge power for inductive load and 0.5 (1) (2) (3) capacitance load. 2.54 2.54 1.05 0.45 (1) Emitter
Другие транзисторы: 2SC5846, 2SC5849, 2SC5850, 2SC5855, 2SC5859, 2SC5863, 2SC5865, 2SC5868, 2SC828, 2SC5875, 2SC5877S, 2SC5880, 2SC5882, 2SC5884, 2SC5885, 2SC5890, 2SC5894
History: K2120A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180






