2SC5885 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5885  📄📄 

Маркировка: C5885

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO-220H

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5885

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5885 даташит

 ..1. Size:64K  panasonic
2sc5885.pdfpdf_icon

2SC5885

Power Transistors 2SC5885 Silicon NPN triple diffusion mesa type Horizontal deflection output for TV, CRT monitor Unit mm 9.9 0.3 4.6 0.2 2.9 0.2 Features High breakdown voltage VCBO 1 500 V 3.2 0.1 Wide safe operation area Built-in dumper diode 0.76 0.06 1.25 0.1 1.45 0.15 2.6 0.1 1.2 0.15 Absolute Maximum Ratings TC = 25 C 0.7 0.1 0.75 0.1

 ..2. Size:181K  inchange semiconductor
2sc5885.pdfpdf_icon

2SC5885

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5885 DESCRIPTION High Breakdown Voltage Wide Area of Safe Operation Built-in Damper Diode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Horizontal deflection output for TV, CRT monitor applicaitions. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

 8.1. Size:144K  toshiba
2sc5886a.pdfpdf_icon

2SC5885

2SC5886A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886A High-Speed Switching Applications Unit mm DC/DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.22 V (max) High-speed switching tf = 95 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Coll

 8.2. Size:123K  toshiba
2sc5886.pdfpdf_icon

2SC5885

2SC5886 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886 High-Speed Swtching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain h = 400 to 1000 (I = 0.5 A) FE C Low collector-emitter saturation V = 0.22 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 55 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collect

Другие транзисторы: 2SC5865, 2SC5868, 2SC5874S, 2SC5875, 2SC5877S, 2SC5880, 2SC5882, 2SC5884, BD136, 2SC5890, 2SC5894, 2SC5896, 2SC5899, 2SC5902, 2SC5904, 2SC5905, 2SC5909