2SC5904 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC5904 📄📄
Маркировка: C5904
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5
Корпус транзистора: SC-94 TOP-3E-A1
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC5904
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5904 даташит
2sc5904.pdf
Power Transistors 2SC5904 Silicon NPN triple diffusion mesa type For Horizontal deflection output for TV, CRT monitor Unit mm 15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1 5 5 Features High breakdown voltage (VCBO 1 700 V) High-speed switching (tf
2sc5906.pdf
2SC5906 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5906 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.2 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristi
2sc5909.pdf
Power Transistors 2SC5909 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit mm 15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1 5 5 Features High breakdown voltage VCBO 1 500 V High-speed switching tf
2sc5905.pdf
Power Transistors 2SC5905 Silicon NPN triple diffusion mesa type Horizontal deflection output for TV, CRT monitor Unit mm 15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1 5 5 Features High breakdown voltage VCBO 1 700 V High-speed switching tf
Другие транзисторы: 2SC5882, 2SC5884, 2SC5885, 2SC5890, 2SC5894, 2SC5896, 2SC5899, 2SC5902, BDT88, 2SC5905, 2SC5909, 2SC5912, 2SC5913, 2SC5916, 2SC5926, 2SC5931, 2SC5935
History: TP750 | K2118B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor





