Биполярный транзистор 2SC5905 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5905
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: SC-94 TOP-3E-A1
2SC5905 Datasheet (PDF)
2sc5905.pdf
Power Transistors2SC5905Silicon NPN triple diffusion mesa typeHorizontal deflection output for TV, CRT monitorUnit: mm15.50.5 3.00.3 3.20.155 Features High breakdown voltage: VCBO 1 700 V High-speed switching: tf
2sc5906.pdf
2SC5906 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5906 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.2 V (max) High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristi
2sc5904.pdf
Power Transistors2SC5904Silicon NPN triple diffusion mesa typeFor Horizontal deflection output for TV, CRT monitorUnit: mm15.50.5 3.00.3 3.20.155 Features High breakdown voltage (VCBO 1 700 V) High-speed switching (tf
2sc5909.pdf
Power Transistors2SC5909Silicon NPN triple diffusion mesa typeFor horizontal deflection outputUnit: mm15.50.5 3.00.3 3.20.155 Features High breakdown voltage: VCBO 1 500 V High-speed switching: tf
2sc5902.pdf
Power Transistors2SC5902Silicon NPN triple diffusion mesa typeHorizontal deflection output for TVUnit: mm15.50.5 3.00.3 3.20.155 Features High breakdown voltage: VCBO 1 700 V Wide safe operation area Built-in dumper diode 55(4.0)52.00.21.10.1 Absolute Maximum Ratings TC = 25C0.70.1Parameter Symbol Rating Unit
2sc5902.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5902DESCRIPTIONHigh Breakdown VoltageBuilt-in damper diode typeHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage color display horizontaldeflection output applicati
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: RS5853
History: RS5853
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050