Биполярный транзистор 2SC5939 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5939
Маркировка: 1S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: SSSMINI3-F1
2SC5939 Datasheet (PDF)
2sc5939.pdf
Transistors2SC5939Silicon NPN epitaxial planar typeFor high-frequency amplification/oscillation/mixing Unit: mm0.33+0.05 0.10+0.050.02 0.02 Features3 High transition frequency fT Small collector output capacitance (Common base, input open cir-cuited) Cob and reverse transfer capacitance (Common base) Crb0.23+0.05 1 20.02 SSS-Mini type package, allo
2sc5930.pdf
2SC5930 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process) 2SC5930 High-Speed and High-Voltage Switching Applications Unit: mmSwitching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High-speed switching: tf = 0.3 s (max) (IC = 0.3 A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 600 VCollecto
fjaf6810a-j6810a-2sc5936.pdf
FJAF6810AHigh Voltage Color Display Horizontal Deflection Output High Collector-Base Breakdown Voltage : BVCBO = 1550V High Switching Speed : tF(typ.) =0.1s For Color MonitorTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Rating UnitsVCBO Collector-Base Vo
2sc5935.pdf
Power Transistors2SC5935Silicon NPN triple diffusion planar typeFor power amplificationUnit: mm4.60.2For TV vertical deflection output9.90.32.90.2 Features 3.20.1 Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Dielectric breakdown voltage of the package: 5 kV Full-pack package which can be installed to the heat sink with onescrew.
2sc5931.pdf
Power Transistors2SC5931Silicon NPN triple diffusion mesa typeHorizontal deflection output for TV, CRT monitorUnit: mm15.50.5 3.00.3 3.20.155 Features High breakdown voltage: VCBO 1 700 V High speed switching: tf
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050