2SC6023 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC6023  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: MCP4

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC6023

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6023 даташит

 ..1. Size:58K  sanyo
 2sc6023.pdf pdf_icon

2SC6023

Ordering number ENN8143 2SC6023 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to C Band Low-Noise Amplifier 2SC6023 and OSC Applications Features Low-noise use NF=1.2dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency fT=14.5GHz typ (VCE=1V). fT=22GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain S21e 2=14dB typ (f=2GHz). Specifications Absolute Maximum Ratings at

 8.1. Size:142K  toshiba
 2sc6026.pdf pdf_icon

2SC6023

2SC6026 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026 General-Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 400 Complementary to 2SA2154 1 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2

 8.2. Size:147K  toshiba
 2sc6026mfv.pdf pdf_icon

2SC6023

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.2 0.05 High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 3 2

 8.3. Size:145K  toshiba
 2sc6026ct.pdf pdf_icon

2SC6023

2SC6026CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC6026CT General Purpose Amplifier Applications Unit mm 0.6 0.05 High voltage and high current 0.5 0.03 VCEO = 50V, IC = 100mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 Complementary to 2SA2154CT Absolut

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5946, 2SC5954, 2SC5980, 2SC5993, 2SC5998, 2SC5999, 2SC6012, 2SC6013, TIP122, 2SC6024, 2SC6036, 2SC6044, 2SC6114, 2SC634SP, 2SA0879, 2SA1530A, 2SA1580