2SB910M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB910M

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: ATR

 Аналоги (замена) для 2SB910M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB910M даташит

 ..1. Size:111K  rohm
2sb910m 2sb1238.pdfpdf_icon

2SB910M

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.1. Size:130K  rohm
2sb1188 2sb1188 2sb1182 2sb1240 2sb822 2sb1277 2sb911m.pdfpdf_icon

2SB910M

Transistors Medium power Transistor(*32V,*2A) 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M FFeatures FExternal dimensions (Unit mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.5V (Typ.) (IC / IB = *2A / *0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (96-131-B24) 215 2SB1188

 9.2. Size:224K  jmnic
2sb919.pdfpdf_icon

2SB910M

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB919 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD1235 Low collector saturation voltage Large current capacity APPLICATIONS Large current switching of relay drivers, high-speed inverters,converters PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplif

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
2sb919.pdfpdf_icon

2SB910M

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB919 DESCRIPTION High Collector Current I = -8A C Low Collector Saturation Voltage V = -0.5V(Max)@I = -3A CE(sat) C Complement to Type 2SD1235 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for large current switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

Другие транзисторы: 2SC5248, 2SC5615, 2SC5694, 2SC6093LS, 2SB1714, 2SB1722J, 2SB1734, 2SB792A, A1015, 2SD1341P, 2SD1381F, 2SD1536M, 2SD1775, 2SD1775A, 2SD2033A, 2SD2091, 2SD2096