Биполярный транзистор 2SD2280 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD2280
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO-3PML
Аналог (замена) для 2SD2280
2SD2280 Datasheet (PDF)
2sd2280.pdf

Ordering number:EN3713PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1507/2SD228050V/7A High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1507/2SD2280] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=()0.4V max. Wide ASO and highly registant to breakdown. Micales
2sb1509 2sd2282.pdf

Ordering number:EN3715PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1509/2SD2282High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1509/2SD2282] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=0.5V max. Wide ASO and highly registant to breakdown. Micaless package
2sd2285.pdf

Ordering number:EN3716PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1511/2SD228530V/20A High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1511/2SD2285] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. Large current capacity. Micaless p
2sd2281.pdf

Ordering number:EN3714PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1508/2SD228150V/12A High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1508/2SD2281] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. Wide ASO and highly registant to breakd
Другие транзисторы... 2SD2258 , 2SD2259 , 2SD2261 , 2SD2263 , 2SD2266 , 2SD2273 , 2SD2275 , 2SD2276 , D209L , 2SD2281 , 2SD2282 , 2SD2284 , 2SD2285 , 2SD2321 , 2SD2324 , 2SD2345 , 2SD2357 .
History: RT1N237C
History: RT1N237C



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503