Биполярный транзистор 2SD2284 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2284
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: FLP
2SD2284 Datasheet (PDF)
2sd2284.pdf
Ordering number:EN3881PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1510/2SD228460V/3A Driver ApplicationsApplications Package Dimensions Motor drivers, hammer drivers, relay drivers. unit:mm2084Features [2SB1510/2SD2284] High DC current gain. Good dependence of DC current gain.E : EmitterC : Collector( ) : 2SB1510B : BaseSANYO : FLPSpecificationsAbsolu
2sb1509 2sd2282.pdf
Ordering number:EN3715PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1509/2SD2282High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1509/2SD2282] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=0.5V max. Wide ASO and highly registant to breakdown. Micaless package
2sd2285.pdf
Ordering number:EN3716PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1511/2SD228530V/20A High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1511/2SD2285] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. Large current capacity. Micaless p
2sd2281.pdf
Ordering number:EN3714PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1508/2SD228150V/12A High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1508/2SD2281] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. Wide ASO and highly registant to breakd
2sd2280.pdf
Ordering number:EN3713PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB1507/2SD228050V/7A High-Current Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters. unit:mm2039AFeatures [2SB1507/2SD2280] Low collector-to-emitter saturation voltage :VCE(sat)=()0.4V max. Wide ASO and highly registant to breakdown. Micales
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050