2SD2453. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD2453

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SC-63 U-G2

 Аналоги (замена) для 2SD2453

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2453 даташит

 ..1. Size:77K  panasonic
2sd2453.pdfpdf_icon

2SD2453

Power Transistors 2SD2453 Silicon NPN triple diffusion planar type Unit mm 6.5 0.1 For high current transfer ratio and power amplification 2.3 0.1 5.3 0.1 4.35 0.1 0.5 0.1 Features High forward current transfer ratio hFE Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 1.0 0.1 0.1 0.05 0.5 0.1 0.75 0.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C 2.3 0.1 (5

 8.1. Size:37K  panasonic
2sd2459.pdfpdf_icon

2SD2453

Transistor 2SD2459 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency output amplification Unit mm 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 High collector to emitter voltage VCEO. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zine packing. 0.4

 8.2. Size:37K  panasonic
2sd2457.pdfpdf_icon

2SD2453

Transistor 2SD2457 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zine packing. 0.4 0.08 0.4 0.

 8.3. Size:41K  panasonic
2sd2457 e.pdfpdf_icon

2SD2453

Transistor 2SD2457 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zine packing. 0.4 0.08 0.4 0.

Другие транзисторы: 2SD2414, 2SD2416, 2SD2420, 2SD2423, 2SD2425, 2SD2426, 2SD2441, 2SD2444, 2SD669, 2SD2457, 2SD2459, 2SD2460, 2SD2465, 2SD2465A, 2SD2466, 2SD2466A, 2SD2467