Справочник транзисторов. 2N6301

 

Биполярный транзистор 2N6301 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N6301

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Корпус транзистора: TO66

Аналоги (замена) для 2N6301

 

 

2N6301 Datasheet (PDF)

1.1. 2n6301smd 2n6301smd05.pdf Size:25K _upd

2N6301
2N6301

2N6299SMD 2N6299SMD05 2N6301SMD 2N6301SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6299SMD - PNP TRANSISTOR 2N6301SMD - NPN TRANSISTOR Designed for general

1.2. 2n6301smd.pdf Size:25K _upd

2N6301
2N6301

2N6299SMD 2N6299SMD05 2N6301SMD 2N6301SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6299SMD - PNP TRANSISTOR 2N6301SMD - NPN TRANSISTOR Designed for general

 1.3. 2n6301smd05.pdf Size:25K _upd

2N6301
2N6301

2N6299SMD 2N6299SMD05 2N6301SMD 2N6301SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6299SMD - PNP TRANSISTOR 2N6301SMD - NPN TRANSISTOR Designed for general

1.4. 2n6301smd05.pdf Size:25K _semelab

2N6301
2N6301

2N6299SMD 2N6299SMD05 2N6301SMD 2N6301SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6299SMD - PNP TRANSISTOR 2N6301SMD - NPN TRANSISTOR Designed for general

 1.5. 2n6301smd—копия 2n6301smd 2n6301smd 2n6301smd05.pdf Size:25K _semelab

2N6301
2N6301

2N6299SMD 2N6299SMD05 2N6301SMD 2N6301SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6299SMD - PNP TRANSISTOR 2N6301SMD - NPN TRANSISTOR Designed for general

1.6. 2n6300 2n6301.pdf Size:131K _inchange_semiconductor

2N6301
2N6301

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6300 2N6301 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·DARLINGTON ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2N6298/6299 APPLICATIONS ·General purpose power amplifier and low frequency switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (T

1.7. 2n6300 2n6301.pdf Size:184K _aeroflex

2N6301
2N6301

NPN Darlington Power Silicon Transistor 2N6300 & 2N6301 Features • Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/539 • TO-66 (TO-213AA) Package Maximum Ratings Ratings Symbol 2N6300 2N6301 Units Collector - Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc Collector - Base Voltage VCBO 60 80 Vdc Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Base Current IB 120 mAdc Collector Current IC 8.0 Adc Tot

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top