2SD2468. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD2468
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90
Корпус транзистора: TO-220E
Аналоги (замена) для 2SD2468
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD2468 даташит
2sd2468.pdf
Power Transistors 2SD2468 Silicon NPN epitaxial planar type For power switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Large collector current IC Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- 2.6 0.1 stalled to the heat sink wi
2sd2461.pdf
2SD2461 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2461 Power Amplifier Applications Unit mm High DC current gain hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.1 A) CE C Low saturation voltage V = 0.3 V (typ.) (I = 0.5 A, I = 5 mA) CE (sat) C B Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter v
2sd2462.pdf
2SD2462 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2462 Power Amplifier Applications Unit mm High DC current gain hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.2 A) CE C Low saturation voltage V = 0.4 V (typ.) (I = 1 A, I = 10 mA) CE (sat) C B Complementary to 2SB1602 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage
2sd2463.pdf
DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SD2463 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SD2463 is a Darlington connection transistor with on- PACKAGE DRAWING (UNIT mm) chip dumper diode in collector to emitter and zener diode in collector to base. This transistor is ideal for use in acuator drives such as motors, relays, and solenoids. FE
Другие транзисторы: 2SD2457, 2SD2459, 2SD2460, 2SD2465, 2SD2465A, 2SD2466, 2SD2466A, 2SD2467, TIP32C, 2SD2469, 2SD2469A, 2SD2478, 2SD2479, 2SD2486, 2SD2491, 2SD2492, 2SD2504
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g










