2SD2469. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD2469

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO-220E

 Аналоги (замена) для 2SD2469

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2469 даташит

 ..1. Size:59K  panasonic
2sd2469.pdfpdf_icon

2SD2469

Power Transistors 2SD2469, 2SD2469A Silicon NPN epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SB1607 Unit mm Features 4.6 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 9.9 0.3 2.9 0.2 3.2 0.1 Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Large collector current IC Full-pack package with outstanding insulation, which can be in-

 8.1. Size:183K  toshiba
2sd2461.pdfpdf_icon

2SD2469

2SD2461 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2461 Power Amplifier Applications Unit mm High DC current gain hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.1 A) CE C Low saturation voltage V = 0.3 V (typ.) (I = 0.5 A, I = 5 mA) CE (sat) C B Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter v

 8.2. Size:184K  toshiba
2sd2462.pdfpdf_icon

2SD2469

2SD2462 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2462 Power Amplifier Applications Unit mm High DC current gain hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.2 A) CE C Low saturation voltage V = 0.4 V (typ.) (I = 1 A, I = 10 mA) CE (sat) C B Complementary to 2SB1602 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage

 8.3. Size:82K  nec
2sd2463.pdfpdf_icon

2SD2469

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SD2463 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SD2463 is a Darlington connection transistor with on- PACKAGE DRAWING (UNIT mm) chip dumper diode in collector to emitter and zener diode in collector to base. This transistor is ideal for use in acuator drives such as motors, relays, and solenoids. FE

Другие транзисторы: 2SD2459, 2SD2460, 2SD2465, 2SD2465A, 2SD2466, 2SD2466A, 2SD2467, 2SD2468, MJE350, 2SD2469A, 2SD2478, 2SD2479, 2SD2486, 2SD2491, 2SD2492, 2SD2504, 2SD2527