2SD2646. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD2646
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5
Корпус транзистора: TO-3PMLH
Аналоги (замена) для 2SD2646
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD2646 даташит
2sd2646.pdf
Ordering number ENN6922 2SD2646 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2646 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2646] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1 0.9 0.7 1 2 3 1 Bas
2sd2649.pdf
Ordering number ENN6679A 2SD2649 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2649 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2649] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1 0.9 0.7 1 2 3 1 Bas
2sd2645.pdf
Ordering number ENN6897A 2SD2645 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2645 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2645] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 On-chip damper diode. 3.1 2.8 2.
2sd2648.pdf
Ordering number ENN6923 2SD2648 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2648 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2648] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1 0.9 0.7 1 2 3 1 Bas
Другие транзисторы: 2SD2620J, 2SD2621, 2SD2623, 2SD2627, 2SD2635, 2SD2638, 2SD2639, 2SD2645, A1941, 2SD2648, 2SD2649, 2SD2650, 2SD2651, 2SD2659, 2SD2663, 2SD2678, 2SD2679
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815







