NESG3032M14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NESG3032M14

Маркировка: zN

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 23000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: M14

 Аналоги (замена) для NESG3032M14

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NESG3032M14 даташит

 ..1. Size:261K  nec
 nesg3032m14.pdf pdf_icon

NESG3032M14

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NESG3032M14 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PACKAGE) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz Maximum stable power gain MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

 7.1. Size:207K  nec
 nesg3031m05.pdf pdf_icon

NESG3032M14

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NESG3031M05 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA,

 7.2. Size:207K  nec
 nesg3031m14.pdf pdf_icon

NESG3032M14

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NESG3031M14 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz

 7.3. Size:275K  nec
 nesg3033m14.pdf pdf_icon

NESG3032M14

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NESG3033M14 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz Maximum stable power gain MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz SiG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NESG2101M16, NESG210719, NESG2107M33, NESG250134, NESG260234, NESG270034, NESG3031M05, NESG3031M14, BC558, NESG3033M14, NESG4030M14, NESG2046M33, NESG204619, NESG2031M16, NESG2031M05, NESG2030M04, NESG2021M16