NESG2021M05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NESG2021M05

Маркировка: T1G

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: M05

 Аналоги (замена) для NESG2021M05

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NESG2021M05 даташит

 ..1. Size:729K  nec
 nesg2021m05.pdf pdf_icon

NESG2021M05

DATA SHEET NEC's NPN SiGe NESG2021M05 HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SiGe TECHNOLOGY VCEO = 5 V (Absolute Maximum) LOW NOISE FIGURE NF = 0.9 dB at 2 GHz NF = 1.3 dB at 5.2 GHz HIGH MAXIMUM STABLE GAIN MSG = 22.5 dB at 2 GHz LOW PROFILE M05 PACKAGE M05 SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead style for b

 5.1. Size:225K  nec
 nesg2021m16.pdf pdf_icon

NESG2021M05

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NESG2021M16 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f

 8.1. Size:315K  nec
 nesg204619.pdf pdf_icon

NESG2021M05

PRELIMINARY DATA SHEET NEC's NPN SiGe TRANSISTOR NESG204619 FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURES IDEAL FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION APPLICATIONS NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, F = 2 GHZ HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY FOR SIGE TRANSISTORS VCEO (ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 5.0 V 3-PIN SUPER MINIMOLD (19) PACKAGE ORD

 8.2. Size:287K  nec
 nesg2046m33.pdf pdf_icon

NESG2021M05

PRELIMINARY DATA SHEET NEC's NPN SiGe TRANSISTOR NESG2046M33 FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION FEATURES IDEAL FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION APPLICATIONS NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY FOR SIGE TRANSISTORS VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V 3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NESG3033M14, NESG4030M14, NESG2046M33, NESG204619, NESG2031M16, NESG2031M05, NESG2030M04, NESG2021M16, TIP42, 2N4910X, 2N4911X, 2N6245, 2N6989, 2N6989U, 2N6990, 2N7051, 2N7052