2N7368. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N7368

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO-254

 Аналоги (замена) для 2N7368

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N7368 даташит

 ..1. Size:55K  microsemi
 2n7368.pdf pdf_icon

2N7368

TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/622 Devices Qualified Level JAN 2N7368 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T

 9.1. Size:59K  microsemi
 2n7369.pdf pdf_icon

2N7368

TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/621 Devices Qualified Level JAN 2N7369 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T

Другие транзисторы: 2N4911X, 2N6245, 2N6989, 2N6989U, 2N6990, 2N7051, 2N7052, 2N7053, 2N4401, 2N7369, 2N7370, 2N7371, 2N7372, 2N7373, CL2102, D45H2A, FFB2222A