Биполярный транзистор 2N7372 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N7372
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 58 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO-254AA
2N7372 Datasheet (PDF)
2n7372 2n7373.pdf
7516 Central Industrial DriveRiviera Beach, Florida33404PHONE: (561) 842-03052N7372 - PNPFAX: (561) 845-78132N7373 - NPNAPPLICATIONS:APPLICATIONS: Power Supply Inverters and Converters General Purpose AmplifiersComplimentaryFEATURES:FEATURES: Planar Process for Reliability Power Transistors Fast Switchingin Hermetic Isolated High-Frequency P
2n7371.pdf
TECHNICAL DATA PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/623 Devices Qualified Level JAN, JANTX 2N7371 JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Base Current I 0.2 Adc B Collector Current 12 Adc IC Total Power
2n7370.pdf
TECHNICAL DATA NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624 Devices Qualified Level JAN 2N7370 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Base Current I 0.2 Adc B Collector Current 12 Adc IC Total Power Di
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
