FMB2222A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FMB2222A
Маркировка: 1P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SUPERSOT-6
Аналоги (замена) для FMB2222A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FMB2222A даташит
ffb2222a fmb2222a mmpq2222a.pdf
FMB2222A FFB2222A MMPQ2222A B4 E2 C2 E4 B2 B3 E1 E3 C1 B2 C1 E2 B1 E1 C4 C4 C2 B2 C3 SC70-6 B1 E2 C3 Mark .1P pin #1 E1 C2 pin #1 B1 C2 SOIC-16 C1 NOTE The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin C1 Mark SuperSOT -6 pin #1 4 are interchangeable. Units inside the carrier can MMPQ2222A Mark .1P be of either orientation and will not affect the functionality
ffb2222a fmb2222a mmpq2222a.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
ffb2227a fmb2227a.pdf
FMB2227A FFB2227A E2 C2 B2 TRANSISTOR TYPE E1 C1 C1 B1 E1 NPN C1 C2 B2 E2 PNP C2 SC70-6 B2 B1 pin #1 Mark .AA E1 E2 SuperSOT -6 Dot denotes pin #1 pin #1 B1 Mark .001 Dot denotes pin #1 NPN & PNP General Purpose Amplifier This complementary device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. Sourced from Process 19 and 6
ffb2227a fmb2227a.pdf
ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
Другие транзисторы: 2N7369, 2N7370, 2N7371, 2N7372, 2N7373, CL2102, D45H2A, FFB2222A, 2SA1015, FFB2227A, FMB2227A, FFB3904, FMB3904, FFB3906, FMB3906, FFB3946, FMB3946
History: TBC847 | FJN4306R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315




