Биполярный транзистор 2N1211-1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1211-1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
2N1211-1 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1207 , 2N1208 , 2N1208-1 , 2N1209 , 2N1209-1 , 2N1210 , 2N1210-1 , 2N1211 , KTB688 , 2N1212 , 2N1212-1 , 2N1213 , 2N1214 , 2N1215 , 2N1216 , 2N1217 , 2N1218 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050