Справочник транзисторов. FJN3302R

 

Биполярный транзистор FJN3302R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJN3302R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.5 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 20
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FJN3302R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN3302R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  fairchild semi
fjn3302r.pdfpdf_icon

FJN3302R

FJN3302RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJN4302RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVCB

 8.1. Size:37K  fairchild semi
fjn3307r.pdfpdf_icon

FJN3302R

FJN3307RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K, R2=47K) Complement to FJN4307RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.2. Size:69K  fairchild semi
fjn3305r.pdfpdf_icon

FJN3302R

FJN3305RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJN4305RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.3. Size:69K  fairchild semi
fjn3301r.pdfpdf_icon

FJN3302R

FJN3301RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJN4301RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

Другие транзисторы... FJC1386 , FJC1963 , FJC2383 , FJC690 , FJC790 , FJMA790 , FJN13003 , FJN3301R , 2SC5200 , FJN3303 , FJN3303R , FJN3304R , FJN3305R , FJN3306R , FJN3307R , FJN3308R , FJN3309R .

History: BUL810 | 2N777 | ECG233 | 2SD600KE | 2N5784 | BCW16L | SC119

 

 
Back to Top

 


 
.