Справочник транзисторов. FJN3305R

 

Биполярный транзистор FJN3305R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJN3305R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.5 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 20
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FJN3305R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN3305R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  fairchild semi
fjn3305r.pdfpdf_icon

FJN3305R

FJN3305RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJN4305RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.1. Size:37K  fairchild semi
fjn3307r.pdfpdf_icon

FJN3305R

FJN3307RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K, R2=47K) Complement to FJN4307RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.2. Size:69K  fairchild semi
fjn3301r.pdfpdf_icon

FJN3305R

FJN3301RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJN4301RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

 8.3. Size:65K  fairchild semi
fjn3304r.pdfpdf_icon

FJN3305R

FJN3304RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit, Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJN4304RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVCB

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: GT705G | H1426 | H1268 | 2SB227 | CSD13002

 

 
Back to Top

 


 
.