Справочник транзисторов. FJN3306R

 

Биполярный транзистор FJN3306R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJN3306R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FJN3306R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN3306R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  fairchild semi
fjn3306r.pdfpdf_icon

FJN3306R

FJN3306RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=47K) Complement to FJN4306RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.1. Size:37K  fairchild semi
fjn3307r.pdfpdf_icon

FJN3306R

FJN3307RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K, R2=47K) Complement to FJN4307RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.2. Size:69K  fairchild semi
fjn3305r.pdfpdf_icon

FJN3306R

FJN3305RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJN4305RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.3. Size:69K  fairchild semi
fjn3301r.pdfpdf_icon

FJN3306R

FJN3301RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJN4301RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

Другие транзисторы... FJMA790 , FJN13003 , FJN3301R , FJN3302R , FJN3303 , FJN3303R , FJN3304R , FJN3305R , 2N3055 , FJN3307R , FJN3308R , FJN3309R , FJN3310R , FJN3311R , FJN3312R , FJN3313R , FJN3314R .

History: 2SC2769 | 2SC1054 | C5T4062 | BCW48A

 

 
Back to Top

 


 
.