FJN3313R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJN3313R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для FJN3313R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN3313R даташит

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 fjn3313r.pdf pdf_icon

FJN3313R

FJN3313R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K , R2=47K ) Complement to FJN4313R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VC

 8.1. Size:32K  fairchild semi
 fjn3310r.pdf pdf_icon

FJN3313R

FJN3310R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJN4310R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector-

 8.2. Size:36K  fairchild semi
 fjn3315r.pdf pdf_icon

FJN3313R

FJN3315R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=10K ) TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector-Base Voltage 5

 8.3. Size:26K  fairchild semi
 fjn3312r.pdf pdf_icon

FJN3313R

FJN3312R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJN4312R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJN3305R, FJN3306R, FJN3307R, FJN3308R, FJN3309R, FJN3310R, FJN3311R, FJN3312R, BC548, FJN3314R, FJN3315R, FJN4301R, FJN4302R, FJN4303R, FJN4304R, FJN4305R, FJN4306R