Справочник транзисторов. FJN3315R

 

Биполярный транзистор FJN3315R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJN3315R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FJN3315R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN3315R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  fairchild semi
 fjn3315r.pdf pdf_icon

FJN3315R

FJN3315RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K)TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVCBO Collector-Base Voltage 5

 8.1. Size:32K  fairchild semi
 fjn3310r.pdf pdf_icon

FJN3315R

FJN3310RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJN4310RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVCBO Collector-

 8.2. Size:27K  fairchild semi
 fjn3313r.pdf pdf_icon

FJN3315R

FJN3313RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K, R2=47K) Complement to FJN4313RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVC

 8.3. Size:26K  fairchild semi
 fjn3312r.pdf pdf_icon

FJN3315R

FJN3312RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJN4312RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJN3307R , FJN3308R , FJN3309R , FJN3310R , FJN3311R , FJN3312R , FJN3313R , FJN3314R , 13007 , FJN4301R , FJN4302R , FJN4303R , FJN4304R , FJN4305R , FJN4306R , FJN4307R , FJN4308R .

History: BD675A | BCW49C | HE3055 | CSC1008R

 

 
Back to Top

 


 
.