Справочник транзисторов. 2N6312

 

Биполярный транзистор 2N6312 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N6312
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 800 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2N6312

 

 

2N6312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  bocasemi
2n6312 2n6313 2n6314 2n4231a 2n4232a 2n4233a.pdf

2N6312 2N6312

ABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

 ..2. Size:131K  inchange semiconductor
2n6312 2n6313 2n6314.pdf

2N6312 2N6312

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6312 2N6313 2N6314 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Low leakage current APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 CollectorA

 9.1. Size:165K  mospec
2n6315-18.pdf

2N6312 2N6312

AAAA

 9.2. Size:131K  inchange semiconductor
2n6315 2n6316.pdf

2N6312 2N6312

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6315 2N6316 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Complement to type 2N6317/6318 APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collect

 9.3. Size:131K  inchange semiconductor
2n6317 2n6318.pdf

2N6312 2N6312

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6317 2N6318 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Complement to type 2N6315/6316 APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 Collecto

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top