FJN4314R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJN4314R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для FJN4314R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN4314R даташит

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 fjn4314r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4314R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=47K ) Complement to FJN3314R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VC

 8.1. Size:26K  fairchild semi
 fjn4312r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4312R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJN3312R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-

 8.2. Size:32K  fairchild semi
 fjn4310r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4310R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJN3310R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-

 8.3. Size:27K  fairchild semi
 fjn4313r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4313R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=47K ) Complement to FJN3313R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJN4306R, FJN4307R, FJN4308R, FJN4309R, FJN4310R, FJN4311R, FJN4312R, FJN4313R, A1941, FJN5471, FJN965, FJNS3201R, FJNS3202R, FJNS3203R, FJNS3204R, FJNS3205R, FJNS3206R