Справочник транзисторов. FJN4314R

 

Биполярный транзистор FJN4314R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJN4314R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FJN4314R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN4314R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 fjn4314r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4314RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJN3314RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVC

 8.1. Size:26K  fairchild semi
 fjn4312r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4312RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJN3312RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-

 8.2. Size:32K  fairchild semi
 fjn4310r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4310RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJN3310RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-

 8.3. Size:27K  fairchild semi
 fjn4313r.pdf pdf_icon

FJN4314R

FJN4313RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJN3313RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJN4306R , FJN4307R , FJN4308R , FJN4309R , FJN4310R , FJN4311R , FJN4312R , FJN4313R , BC557 , FJN5471 , FJN965 , FJNS3201R , FJNS3202R , FJNS3203R , FJNS3204R , FJNS3205R , FJNS3206R .

History: EMT3 | FJV3108R

 

 
Back to Top

 


 
.