FJNS4202R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJNS4202R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-92S

 Аналоги (замена) для FJNS4202R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS4202R даташит

 ..1. Size:36K  fairchild semi
fjns4202r.pdfpdf_icon

FJNS4202R

FJNS4202R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K , R2=10K ) Complement to FJNS3202R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.1. Size:65K  fairchild semi
fjns4204r.pdfpdf_icon

FJNS4202R

FJNS4204R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to FJNS3204R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C V

 7.2. Size:69K  fairchild semi
fjns4205r.pdfpdf_icon

FJNS4202R

FJNS4205R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to FJNS3205R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.3. Size:36K  fairchild semi
fjns4203r.pdfpdf_icon

FJNS4202R

FJNS4203R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K , R2=22K ) Complement to FJNS3203R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

Другие транзисторы: FJNS3208R, FJNS3210R, FJNS3211R, FJNS3212R, FJNS3213R, FJNS3214R, FJNS3215R, FJNS4201R, BC546, FJNS4203R, FJNS4204R, FJNS4205R, FJNS4206R, FJNS4207R, FJNS4208R, FJNS4210R, FJNS4211R