Справочник транзисторов. FJNS4207R

 

Биполярный транзистор FJNS4207R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJNS4207R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: TO-92S
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS4207R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  fairchild semi
 fjns4207r.pdf pdf_icon

FJNS4207R

FJNS4207RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K, R2=47K) Complement to FJNS3207RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.1. Size:65K  fairchild semi
 fjns4204r.pdf pdf_icon

FJNS4207R

FJNS4204RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJNS3204RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CV

 7.2. Size:69K  fairchild semi
 fjns4205r.pdf pdf_icon

FJNS4207R

FJNS4205RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJNS3205RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.3. Size:36K  fairchild semi
 fjns4202r.pdf pdf_icon

FJNS4207R

FJNS4202RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJNS3202RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CSD545F | 2N6313 | D32S7 | DTA114YCA | BDT63-TO63 | 2SC4427 | 2N1039-1

 

 
Back to Top

 


 
.