Справочник транзисторов. FJNS4211R

 

Биполярный транзистор FJNS4211R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJNS4211R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-92S
 

 Аналог (замена) для FJNS4211R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS4211R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:26K  fairchild semi
 fjns4211r.pdf pdf_icon

FJNS4211R

FJNS4211RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJNS3211RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector

 7.1. Size:32K  fairchild semi
 fjns4210r.pdf pdf_icon

FJNS4211R

FJNS4210RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJNS3210RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector

 7.2. Size:27K  fairchild semi
 fjns4214r.pdf pdf_icon

FJNS4211R

FJNS4214RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJNS3214RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.3. Size:27K  fairchild semi
 fjns4213r.pdf pdf_icon

FJNS4211R

FJNS4213RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJNS3213RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJNS4202R , FJNS4203R , FJNS4204R , FJNS4205R , FJNS4206R , FJNS4207R , FJNS4208R , FJNS4210R , TIP42 , FJNS4212R , FJNS4213R , FJNS4214R , FJP5321 , FJP5355 , FJP9100 , FJPF5321 , FJPF9020 .

History: BC856LT1 | NKT143 | TK41

 

 
Back to Top

 


 
.