Справочник транзисторов. FJNS4213R

 

Биполярный транзистор FJNS4213R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJNS4213R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: TO-92S
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS4213R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 fjns4213r.pdf pdf_icon

FJNS4213R

FJNS4213RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJNS3213RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.1. Size:32K  fairchild semi
 fjns4210r.pdf pdf_icon

FJNS4213R

FJNS4210RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJNS3210RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector

 7.2. Size:27K  fairchild semi
 fjns4214r.pdf pdf_icon

FJNS4213R

FJNS4214RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJNS3214RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.3. Size:26K  fairchild semi
 fjns4211r.pdf pdf_icon

FJNS4213R

FJNS4211RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJNS3211RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: NSBC144WDXV6 | GS9016F | MP3617 | 2N6387 | BDW83 | 2N1013 | FSB660

 

 
Back to Top

 


 
.