Справочник транзисторов. FJV3110R

 

Биполярный транзистор FJV3110R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJV3110R
   Маркировка: R30
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJV3110R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  fairchild semi
 fjv3110r.pdf pdf_icon

FJV3110R

FJV3110RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJV4110R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR30RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.1. Size:45K  fairchild semi
 fjv3111r.pdf pdf_icon

FJV3110R

FJV3111RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJV4111R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR31RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:55K  fairchild semi
 fjv3115r.pdf pdf_icon

FJV3110R

FJV3115RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K)2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R35BR2NPN Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

 8.3. Size:46K  fairchild semi
 fjv3112r.pdf pdf_icon

FJV3110R

FJV3112RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJV4112R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR32RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BC527 | 2N2769 | 2SC3345 | BLW60 | 2N3302 | BD355C

 

 
Back to Top

 


 
.